CMOSイメージセンサのための多層配線層における光透過率の解析

近年，プロセスの微細化とともに配線層が多層化され，それによりイメージセンサの画質に関わる感度特性が著しく衰えてしまいます．そこで我々は，多層誘電層で起きる透過と反射を含んだ光透過解析についての手法を提案しました．各誘電層の比誘電率とその厚さで容易に計算できる特性透過マトリックスを用います. この手法を用いて，標準CMOSプロセス技術の多層配線層における光透過特性を解析し，配線層の多層化が進んだ場合の光強度変化の解析を行っております．